DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 12 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101 DMG4413LSS-13
- RS-varenummer:
- 751-4102
- Producentens varenummer:
- DMG4413LSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 42,16
(ekskl. moms)
Kr. 52,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 1.580 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | Kr. 4,216 | Kr. 42,16 |
| 30 - 120 | Kr. 3,47 | Kr. 34,70 |
| 130 - 620 | Kr. 3,04 | Kr. 30,40 |
| 630 - 1240 | Kr. 2,675 | Kr. 26,75 |
| 1250 + | Kr. 2,10 | Kr. 21,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 751-4102
- Producentens varenummer:
- DMG4413LSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | DMG | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.2W | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie DMG | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.2W | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.5mm | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex P-Kanal 12 A 30 V SOIC DMG4413LSS-13
- DiodesZetex P-Kanal 3 8 ben, SOIC DMP3085LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 8 8 ben, SOIC DMC3026LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 10 8 ben, SOIC DMC3016LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 7 A5 A 30 V SOIC DMC3021LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 2 7 8 ben, SOIC DMHC3025LSD-13
- DiodesZetex N/P-Kanal-Kanal 7 7 8 ben, SOIC DMC3028LSDX-13
- DiodesZetex P-Kanal 160 mA SOIC DMP65H20D0HSS-13
