DiodesZetex Type P-Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DMP65H AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 246-7533
- Producentens varenummer:
- DMP65H13D0HSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 97,23
(ekskl. moms)
Kr. 121,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.370 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | Kr. 9,723 | Kr. 97,23 |
| 50 - 90 | Kr. 9,53 | Kr. 95,30 |
| 100 - 490 | Kr. 7,555 | Kr. 75,55 |
| 500 + | Kr. 6,687 | Kr. 66,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7533
- Producentens varenummer:
- DMP65H13D0HSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Serie | DMP65H | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.73W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13.4nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 4.9mm | |
| Højde | 6mm | |
| Bredde | 1.45 mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Serie DMP65H | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.73W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.4nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 4.9mm | ||
Højde 6mm | ||
Bredde 1.45 mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex gør MOSFET, som er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)), men alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsopgaver. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SO-8-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet.
Maksimal drain til kildespænding er 600 V, og maksimal gate til kildespænding er ± 30 V det har lav modstand og har høj BVDSS-klassificering til effektanvendelse, det har lav indgangskapacitet
Relaterede links
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring SOIC, DMP65H AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, TO-252 AEC-Q101
