DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 246-7558
- Producentens varenummer:
- DMT68M8LSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 81,05
(ekskl. moms)
Kr. 101,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 3,242 | Kr. 81,05 |
| 50 - 75 | Kr. 3,178 | Kr. 79,45 |
| 100 - 225 | Kr. 2,426 | Kr. 60,65 |
| 250 - 975 | Kr. 2,379 | Kr. 59,48 |
| 1000 + | Kr. 2,235 | Kr. 55,88 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 246-7558
- Producentens varenummer:
- DMT68M8LSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 41mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.73W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.45mm | |
| Længde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 41mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.73W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.45mm | ||
Længde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET, der er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SO-8-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC
Den maksimale spænding for afløbet til kilden er 60 V den maksimale gate-til-source spænding er ± 20 V den har lav on-modstand den har lav gate-tærskelspænding og har en ESD-beskyttet gate
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring, TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring SOIC, DMP65H AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring TO-252 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI1012-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring PowerDI3333-8 AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring TO-220 AEC-Q101