DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101 DMT68M8LSS-13

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 25 enheder)*

Kr. 81,05

(ekskl. moms)

Kr. 101,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
25 - 25Kr. 3,242Kr. 81,05
50 - 75Kr. 3,178Kr. 79,45
100 - 225Kr. 2,426Kr. 60,65
250 - 975Kr. 2,379Kr. 59,48
1000 +Kr. 2,235Kr. 55,88

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
246-7558
Producentens varenummer:
DMT68M8LSS-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10.7A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

41mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

1.73W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

8 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

3.85 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

1.45mm

Længde

4.9mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET, der er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SO-8-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC

Den maksimale spænding for afløbet til kilden er 60 V den maksimale gate-til-source spænding er ± 20 V den har lav on-modstand den har lav gate-tærskelspænding og har en ESD-beskyttet gate

Relaterede links