DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 10.7 A 12 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 4.572,50

(ekskl. moms)

Kr. 5.715,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 30. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 1,829Kr. 4.572,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
246-6889
Producentens varenummer:
DMT68M8LSS-13
Brand:
DiodesZetex
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

DiodesZetex

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10.7A

Drain source spænding maks. Vds

12V

Emballagetype

SOIC

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

41mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

8 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

1.73W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

4.9mm

Højde

1.45mm

Bredde

3.85 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

DiodesZetex er en N-kanal forstærkende mode MOSFET, der er designet til at minimere den on-state modstand (RDS(ON)) og samtidig opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer. Det er en grøn enhed og helt blyfri, halogen- og antimonefri. Denne MOSFET leveres i SO-8-emballage. Den giver hurtig omskiftning og høj effektivitet. Dens 100 % induktive udspænding sikrer en mere pålidelig og robust slutanvendelse. Den har et driftstemperaturområde på -55 til +150 oC

Den maksimale spænding for afløbet til kilden er 60 V den maksimale gate-til-source spænding er ± 20 V den har lav on-modstand den har lav gate-tærskelspænding og har en ESD-beskyttet gate

Relaterede links