DiodesZetex Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, DMG AEC-Q101 DMG4466SSS-13
- RS-varenummer:
- 751-4105
- Producentens varenummer:
- DMG4466SSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 49,425
(ekskl. moms)
Kr. 61,775
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.750 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 1,977 | Kr. 49,43 |
| 125 + | Kr. 1,068 | Kr. 26,70 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 751-4105
- Producentens varenummer:
- DMG4466SSS-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | DMG | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 33mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 10.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.42W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 4.95mm | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Højde | 1.5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie DMG | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 33mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 10.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.42W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 4.95mm | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Højde 1.5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V, Diodes Inc
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex Type N-Kanal 10 A 30 V Forbedring SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, DMG AEC-Q101 DMG4413LSS-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.3 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101 DMG2305UX-13
- DiodesZetex Type P-Kanal 3.3 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 7.5 A 30 V Forbedring TSOT, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex Type N-Kanal 7.5 A 30 V Forbedring TSOT, DMG AEC-Q101 DMG6402LVT-7
- DiodesZetex Type N-Kanal 6.5 A 20 V Forbedring SOT-23, DMG AEC-Q101