ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002UN Nej RE1C002UNTCL
- RS-varenummer:
- 124-6784
- Producentens varenummer:
- RE1C002UNTCL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 150 enheder)*
Kr. 65,85
(ekskl. moms)
Kr. 82,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 750 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 1.800 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 150 - 600 | Kr. 0,439 | Kr. 65,85 |
| 750 - 1350 | Kr. 0,417 | Kr. 62,55 |
| 1500 - 3600 | Kr. 0,392 | Kr. 58,80 |
| 3750 - 7350 | Kr. 0,382 | Kr. 57,30 |
| 7500 + | Kr. 0,373 | Kr. 55,95 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-6784
- Producentens varenummer:
- RE1C002UNTCL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 200mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-416 | |
| Serie | RE1C002UN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150mW | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 0.96 mm | |
| Højde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 1.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 200mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-416 | ||
Serie RE1C002UN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150mW | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 0.96 mm | ||
Højde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 1.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM
MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor
Relaterede links
- ROHM P-Kanal 200 mA 20 V SC-75 RE1C002ZPTL
- ROHM N-Kanal 250 mA 60 V SC-75 RE1L002SNTL
- ROHM N-Kanal 100 mA 20 V SC-75, RE1C001UN RE1C001UNTCL
- Vishay N-Kanal 200 mA 20 V SC-75 SI1032R-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 200 mA 20 V SC-75 SI1032X-T1-GE3
- ROHM P-Kanal 100 mA 20 V SC-75, RE1C001ZP RE1C001ZPTL
- ROHM N-Kanal 630 mA 600 V SC-87 ZDS020N60TB
- onsemi N-Kanal 240 mA 20 V SC-75 NTA4001NT1G
