ROHM Type N-Kanal, MOSFET, 200 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-416, RE1C002UN Nej RE1C002UNTCL

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 150 enheder)*

Kr. 65,85

(ekskl. moms)

Kr. 82,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 750 enhed(er) klar til afsendelse
  • Plus 1.800 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
150 - 600Kr. 0,439Kr. 65,85
750 - 1350Kr. 0,417Kr. 62,55
1500 - 3600Kr. 0,392Kr. 58,80
3750 - 7350Kr. 0,382Kr. 57,30
7500 +Kr. 0,373Kr. 55,95

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
124-6784
Producentens varenummer:
RE1C002UNTCL
Brand:
ROHM
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

ROHM

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

200mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Emballagetype

SOT-416

Serie

RE1C002UN

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.8Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

150mW

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

8 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

0.96 mm

Højde

0.8mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

1.7mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal MOSFET-transistorer, ROHM


MOSFET-transistorer, ROHM Semiconductor


Relaterede links