Infineon N-Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

RS-varenummer:: 124-8755
Producentens varenummer:: IPB600N25N3GATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 25 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Indhold (1000 enheder, på en rulle med 1000)*

Kr. 10.262,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.828,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 02. juli 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 10,262	Kr. 10.262,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 124-8755
Producentens varenummer:: IPB600N25N3GATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	25A
	Drain source spænding maks. Vds	250V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	OptiMOS 3
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	60mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	22nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	136W
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Højde	4.57mm
	Længde	10.31mm
	Bredde	9.45mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 25A
	Drain source spænding maks. Vds 250V
	Emballagetype TO-263
	Serie OptiMOS 3
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 60mΩ
	Kanalform Forbedring
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 136W
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Højde 4.57mm
	Længde 10.31mm
	Bredde 9.45mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS 3 seriens MOSFET, 250 V drain source-spænding, 25 A kontinuerlig drain-strøm - IPB600N25N3GATMA1

Denne MOSFET er en højspændings N-kanals koblingstransistor, der er designet til effektkonverterings- og koblingsopgaver i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et meget bredt temperaturområde og er konfigureret til implementering til overflademontering, hvilket giver et kompakt fodaftryk til termisk styring i enheder, hvor robust effekthåndtering og portstyring er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 250 V mærkeværdi fra drain til kilde muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 60 mΩ modstand ved tænding reducerer ledningstab og forbedrer effektiviteten
• 25 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende høj belastning
• 136 W effekttab muliggør betydelig varmehåndtering i kredsløb
• 22 nC gate-opladning giver forudsigelig koblingsenergi og drevdesign
• 20 V gate-source-grænse giver mulighed for standard gate-drive-spændingsmarginer

Anvendelser

• Velegnet til højspændings SMPS primære koblingstrin
• Ideel til industrielle motordrev inverterben
• Anvendes til DC-DC-konvertere i telekommunikationsstrømsystemer
• Kan bruges til batteristyring og ladertopologi
• Anvendes til generel strømkobling på overflademonterede kort

Hvilket termisk område kan den tolerere under drift?

Den er normeret til drift fra -55 °C op til 175 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med ekstreme temperaturvariationer.

Hvilken hustype letter montering og varmeoverførsel?

Den leveres i en TO-263-pakke til overflademontering, der letter loddemontering og giver en stor termisk pude til modstandens varmespredning.

Hvordan opfører enheden sig til gate-drive-design?

Den typiske gate-ladning på 22 nC giver en kvantificerbar koblingsenergi til størrelsen af gate-drivere og estimerer koblingstab.

Hvilken ledningsevne skal designere forvente under belastning?

Med en maksimal specificeret drain-source-modstand på 60 mΩ kan designere beregne ledningstab for strømbaner op til den nominelle kontinuerlige 25 A.