Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB200N15N3GATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 14,04

(ekskl. moms)

Kr. 17,56

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • 12 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Sidste 5.766 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 7,02Kr. 14,04

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
754-5443
Producentens varenummer:
IPB200N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.31mm

Bredde

9.45 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.57mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links