Infineon N-Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 825-9213
- Producentens varenummer:
- IPB020NE7N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 220,36
(ekskl. moms)
Kr. 275,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 255 enhed(er) afsendes fra 10. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 44,072 | Kr. 220,36 |
| 10 - 20 | Kr. 41,888 | Kr. 209,44 |
| 25 - 45 | Kr. 40,092 | Kr. 200,46 |
| 50 - 120 | Kr. 37,46 | Kr. 187,30 |
| 125 + | Kr. 35,246 | Kr. 176,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 825-9213
- Producentens varenummer:
- IPB020NE7N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 75V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 155nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.31mm | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bredde | 9.45mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 75V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 155nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.31mm | ||
Højde 4.57mm | ||
Bredde 9.45mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 60 til 80 V
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
Hurtigt skiftende MOSFET til SMPS
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målanvendelser
N-kanal, logikniveau
Fremragende gate-opladning x R DS(til) produkt (FOM)
Meget lav modstand ved tændt R DS(on)
Blyfri belægning
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.