Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 16.696,00

(ekskl. moms)

Kr. 20.870,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 16,696Kr. 16.696,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
911-0890
Producentens varenummer:
IPB027N10N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

155nC

Gennemgangsspænding Vf

1V

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.31mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.45 mm

Højde

4.57mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links