Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 214-4366
- Producentens varenummer:
- IPB120N08S403ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 234,72
(ekskl. moms)
Kr. 293,40
(inkl. moms)
Tilføj 15 enheder for at opnå gratis levering
Restlager hos RS
- Sidste 220 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 46,944 | Kr. 234,72 |
| 10 - 20 | Kr. 42,262 | Kr. 211,31 |
| 25 - 45 | Kr. 39,434 | Kr. 197,17 |
| 50 - 120 | Kr. 36,622 | Kr. 183,11 |
| 125 + | Kr. 34,274 | Kr. 171,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 214-4366
- Producentens varenummer:
- IPB120N08S403ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS -T2 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 128nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 278W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 4.5mm | |
| Bredde | 9.27 mm | |
| Længde | 10.02mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS -T2 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 128nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 278W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 4.5mm | ||
Bredde 9.27 mm | ||
Længde 10.02mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Denne Infineon OptiMOS T2 MOSFET er 100 % Avalanche-testet og overholder RoHS.
Det er AEC Q101 kvalificeret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101