Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101 IPB120N08S403ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 234,72

(ekskl. moms)

Kr. 293,40

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 220 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 46,944Kr. 234,72
10 - 20Kr. 42,262Kr. 211,31
25 - 45Kr. 39,434Kr. 197,17
50 - 120Kr. 36,622Kr. 183,11
125 +Kr. 34,274Kr. 171,37

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-4366
Producentens varenummer:
IPB120N08S403ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

OptiMOS -T2

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

128nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

278W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.5mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.02mm

Bredde

9.27 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne Infineon OptiMOS T2 MOSFET er 100 % Avalanche-testet og overholder RoHS.

Det er AEC Q101 kvalificeret

Relaterede links