Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101 IPB180N04S4H0ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 119,76

(ekskl. moms)

Kr. 149,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 440 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 23,952Kr. 119,76
10 - 20Kr. 22,754Kr. 113,77
25 - 45Kr. 20,478Kr. 102,39
50 +Kr. 20,36Kr. 101,80

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3036
Producentens varenummer:
IPB180N04S4H0ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

OptiMOS-T2

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET til brug i biler. Den har TO263-7-3 hustype.

175 °C driftstemperatur

Ultra lav Rds(til)

100 % lavine-testet

Relaterede links