MPN

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101

RS-varenummer:: 218-3035
Producentens varenummer:: IPB180N04S4H0ATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 12.369,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.461,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 02. april 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 12,369	Kr. 12.369,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 218-3035
Producentens varenummer:: IPB180N04S4H0ATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	180A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	OptiMOS-T2
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	7
	Drain source modstand maks. Rds	1.1mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype TO-263
	Serie OptiMOS-T2
	Monteringstype Overflade
	Benantal 7
	Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ
	Kanalform Forbedring
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPB180N04S4H0ATMA1

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET til brug i biler. Den har TO263-7-3 hustype.

175 °C driftstemperatur

Ultra lav Rds(til)

100 % lavine-testet

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Relaterede links