Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101 IPB120N06S4H1ATMA2

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 118,48

(ekskl. moms)

Kr. 148,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 950 enhed(er) afsendes fra 31. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 23,696Kr. 118,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3033
Producentens varenummer:
IPB120N06S4H1ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET. Den har lave skift- og ledningstab for høj termisk effektivitet.

N-kanal - forbedringstilstand

175 °C driftstemperatur

100 % lavine-testet

Relaterede links