Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101 IPB120N06S4H1ATMA2

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 118,48

(ekskl. moms)

Kr. 148,10

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 23,696Kr. 118,48

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
218-3033
Producentens varenummer:
IPB120N06S4H1ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET. Den har lave skift- og ledningstab for høj termisk effektivitet.

N-kanal - forbedringstilstand

175 °C driftstemperatur

100 % lavine-testet

Relaterede links