Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 13.313,00

(ekskl. moms)

Kr. 16.641,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 13,313Kr. 13.313,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
218-3032
Producentens varenummer:
IPB120N06S4H1ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™-T2 seriens N-kanal MOSFET. Den har lave skift- og ledningstab for høj termisk effektivitet.

N-kanal - forbedringstilstand

175 °C driftstemperatur

100 % lavine-testet

Relaterede links