Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 826-8998
- Producentens varenummer:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 281,86
(ekskl. moms)
Kr. 352,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 520 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 14,093 | Kr. 281,86 |
| 40 - 80 | Kr. 11,134 | Kr. 222,68 |
| 100 - 180 | Kr. 10,431 | Kr. 208,62 |
| 200 - 480 | Kr. 9,724 | Kr. 194,48 |
| 500 + | Kr. 9,021 | Kr. 180,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 826-8998
- Producentens varenummer:
- IPB80N06S4L05ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Effekttransistor | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS -T2 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 83nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 107W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.4mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 10mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Effekttransistor | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie OptiMOS -T2 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 83nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 107W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.4mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 10mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFET'er
Infineons nye OptiMOS™ -T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2 reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS™ -T2 produktserien udvider de eksisterende serier af OptiMOS™ -T og OptiMOS™.
OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.
N-kanal - forbedringstilstand
AEC-kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grønt produkt (RoHS kompatibel)
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 20 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Type N-Kanal Dobbelt 16 A 100 V Forbedring TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 45 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2