Infineon Type N-Kanal, Effekttransistor, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
165-5607
Producentens varenummer:
IPB80N06S4L05ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Effekttransistor

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

80A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

OptiMOS -T2

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

±16 V

Effektafsættelse maks. Pd

107W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

83nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

9.25 mm

Højde

4.4mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
CN

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFET'er


Infineons nye OptiMOS™ -T2 har en række energibesparende MOSFET-transistorer med CO2 reduktion og elektriske drev. Den nye OptiMOS™ -T2 produktserien udvider de eksisterende serier af OptiMOS™ -T og OptiMOS™.

OptiMOS™ produkter findes i højtydende pakker til at løse de mest krævende opgaver, og de giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Disse Infineon-produkter er konstrueret til at opfylde og overstige kravene til energieffektivitet og effekttæthed i de skærpede næste-generations standarder for spændingsregulering i computere.

N-kanal - forbedringstilstand

AEC-kvalificeret

MSL1 op til 260 °C topreflow

175 °C driftstemperatur

Grønt produkt (RoHS kompatibel)

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links