Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 8.263,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.329,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 15. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 8,263Kr. 8.263,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7377
Producentens varenummer:
IPB031N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80V industriel power MOSFET IPB031N08N5 tilbyder en RDS(on)-reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i strømforsyninger til telekommunikation og server. Desuden kan de også anvendes i andre industrielle anvendelser, f.eks. solceller, lavspændingsdrev og adaptere.

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %

R DS(on) reduktion på op til 44 %

Højeste systemeffektivitet

Færre skift og ledningstab

Mindre parallelisering nødvendig

Forøget effekttæthed

Lav udgangsspændingsoversving

Relaterede links