Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 180 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB019N08N3GATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 30,66

(ekskl. moms)

Kr. 38,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 934 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 +Kr. 15,33Kr. 30,66

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
220-7376
Producentens varenummer:
IPB019N08N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS er markedsførende inden for meget effektive løsninger til strømproduktion (f.eks. soldrevet mikroinverter), strømforsyning (f.eks. server og telekommunikation) og strømforbrug (f.eks. elektrisk køretøj).

Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere

Fremragende gate-opladning x R DS(ON) produkt (FOM)

Fremragende termisk modstand

Dobbeltsidet køling

Lav parasitisk induktans

Lav profil (<0,7 mm)

N-kanal, normalt niveau

Relaterede links