Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 180 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 21.079,00

(ekskl. moms)

Kr. 26.349,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 21,079Kr. 21.079,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7375
Producentens varenummer:
IPB019N08N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS er markedsførende inden for meget effektive løsninger til strømproduktion (f.eks. soldrevet mikroinverter), strømforsyning (f.eks. server og telekommunikation) og strømforbrug (f.eks. elektrisk køretøj).

Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere

Fremragende gate-opladning x R DS(ON) produkt (FOM)

Fremragende termisk modstand

Dobbeltsidet køling

Lav parasitisk induktans

Lav profil (<0,7 mm)

N-kanal, normalt niveau

Relaterede links