Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 180 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 220-7375
- Producentens varenummer:
- IPB019N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 18.401,00
(ekskl. moms)
Kr. 23.001,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 18,401 | Kr. 18.401,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7375
- Producentens varenummer:
- IPB019N08N3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS er markedsførende inden for meget effektive løsninger til strømproduktion (f.eks. soldrevet mikroinverter), strømforsyning (f.eks. server og telekommunikation) og strømforbrug (f.eks. elektrisk køretøj).
Optimeret teknologi til DC/DC-konvertere
Fremragende gate-opladning x R DS(ON) produkt (FOM)
Fremragende termisk modstand
Dobbeltsidet køling
Lav parasitisk induktans
Lav profil (<0,7 mm)
N-kanal, normalt niveau
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS 5