Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5

RS-varenummer:: 178-7445
Producentens varenummer:: IPB010N06NATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 22.450,00

(ekskl. moms)

Kr. 28.060,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 22,45	Kr. 22.450,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7445
Producentens varenummer:: IPB010N06NATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	180A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	OptiMOS 5
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	7
	Drain source modstand maks. Rds	1.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	208nC
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	300W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	10.31mm
	Højde	9.45mm
	Bredde	4.57mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype TO-263
	Serie OptiMOS 5
	Monteringstype Overflade
	Benantal 7
	Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 208nC
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 300W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 10.31mm
	Højde 9.45mm
	Bredde 4.57mm
	Bilindustristandarder Nej

IPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 60 V drain source-spænding, 180 A kontinuerlig drain-strøm - IPB010N06NATMA1

Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til strømswitching i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er velegnet til krævende elektriske miljøer, hvor lave ledningstab og robust gate-styring er påkrævet.

Egenskaber og fordele:

• 60 V drain-klassificering, der muliggør mellemspændingskoblingsfunktioner
• 1.5 mΩ Rds(on), der reducerer ledningstab for stier med høj strømstyrke
• 180 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter kraftige belastningskrav
• 300 W maks. effekttab, der giver mulighed for vedvarende termisk belastning
• 208 nC typisk gate-ladning, der muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• 20 V maksimal gate-source-spænding, der beskytter gate-drevgrænserne

Anvendelser

• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i strømsystemer
• Ideel til server- og telekommunikationsstrømfordelingsmoduler
• Anvendes sammen med motorstyringer, der kræver kontakter med lav modstand ved tænding
• Kan bruges til batteristyring og strømkonditionering
• Velegnet til generelle effekttrin i industriel elektronik

Hvilket termisk område kan enheden modstå under drift?

Den fungerer over -55 °C til 175 °C, hvilket muliggør brug i både koldstart og miljøer med høj varme.

Hvordan er det beregnet til at blive monteret på et kort?

Komponenten leveres i en TO-263-pakke, der er designet til overflademonteret placering og lodning.

Hvilke overvejelser om gate-driver skal overholdes?

Porten må ikke overstige 20 V Vgs, og den typiske portladning på 208 nC skal overvejes, når driverne skal dimensioneres for at opfylde skiftehastigheds- og tabsmål.

Hvilken fremadgående spænding er relevant under ledning af hus-diode?

Den fremadrettede ledningsspænding er ca. 1,2 V og bør medtages i tabsberegninger for hændelser med omvendt strøm.