Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 107,34

(ekskl. moms)

Kr. 134,18

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 53,67Kr. 107,34
20 - 98Kr. 45,78Kr. 91,56
100 - 198Kr. 39,68Kr. 79,36
200 - 498Kr. 37,51Kr. 75,02
500 +Kr. 33,625Kr. 67,25

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
906-4353
Producentens varenummer:
IPB010N06NATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS 5

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-20V, +20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

208nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

9.45mm

Længde

10.31mm

Bredde

4.57mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOS 5 seriens MOSFET, 60 V drain source-spænding, 180 A kontinuerlig drain-strøm - IPB010N06NATMA1


Denne MOSFET er en højstrøms N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til strømswitching i overflademonterede anvendelser. Den fungerer over et udvidet temperaturområde og er velegnet til krævende elektriske miljøer, hvor lave ledningstab og robust gate-styring er påkrævet.

Egenskaber og fordele:


• 60 V drain-klassificering, der muliggør mellemspændingskoblingsfunktioner
• 1.5 mΩ Rds(on), der reducerer ledningstab for stier med høj strømstyrke
• 180 A kontinuerlig afløbsstrøm, der understøtter kraftige belastningskrav
• 300 W maks. effekttab, der giver mulighed for vedvarende termisk belastning
• 208 nC typisk gate-ladning, der muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• 20 V maksimal gate-source-spænding, der beskytter gate-drevgrænserne

Anvendelser


• Velegnet til DC/DC-omformere med høj strømstyrke i strømsystemer
• Ideel til server- og telekommunikationsstrømfordelingsmoduler
• Anvendes sammen med motorstyringer, der kræver kontakter med lav modstand ved tænding
• Kan bruges til batteristyring og strømkonditionering
• Velegnet til generelle effekttrin i industriel elektronik

Hvilket termisk område kan enheden modstå under drift?


Den fungerer over -55 °C til 175 °C, hvilket muliggør brug i både koldstart og miljøer med høj varme.

Hvordan er det beregnet til at blive monteret på et kort?


Komponenten leveres i en TO-263-pakke, der er designet til overflademonteret placering og lodning.

Hvilke overvejelser om gate-driver skal overholdes?


Porten må ikke overstige 20 V Vgs, og den typiske portladning på 208 nC skal overvejes, når driverne skal dimensioneres for at opfylde skiftehastigheds- og tabsmål.

Hvilken fremadgående spænding er relevant under ledning af hus-diode?


Den fremadrettede ledningsspænding er ca. 1,2 V og bør medtages i tabsberegninger for hændelser med omvendt strøm.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.