Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-varenummer:
- 906-4353
- Producentens varenummer:
- IPB010N06NATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 86,69
(ekskl. moms)
Kr. 108,362
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 43,345 | Kr. 86,69 |
| 20 - 98 | Kr. 36,99 | Kr. 73,98 |
| 100 - 198 | Kr. 32,05 | Kr. 64,10 |
| 200 - 498 | Kr. 30,295 | Kr. 60,59 |
| 500 + | Kr. 27,15 | Kr. 54,30 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 906-4353
- Producentens varenummer:
- IPB010N06NATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 208nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.31mm | |
| Højde | 9.45mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 208nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.31mm | ||
Højde 9.45mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Undtaget
Infineon OptiMOSTM5 Power MOSFET'er
OptiMOSTM 5 60V er optimeret til synkron rettelse i strømforsyninger i tændt tilstand (SMPS) som dem, der findes i servere og stationære computere og tabletopladere. Desuden er disse enheder et perfekt valg til en bred vifte af industrielle anvendelser, herunder motorstyring, solcellemikroinverter og DC-DC-konverter med hurtig skifte.
Oversigt over funktioner
Fordele
Potentielle applikationer
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFET'er
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 180 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101