Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5 Nej IPB010N06NATMA1

RS-varenummer:: 906-4353
Producentens varenummer:: IPB010N06NATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5 Nej IPB010N06NATMA1

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 83,09

(ekskl. moms)

Kr. 103,862

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
2 - 18	Kr. 41,545	Kr. 83,09
20 - 98	Kr. 35,44	Kr. 70,88
100 - 198	Kr. 30,70	Kr. 61,40
200 - 498	Kr. 29,04	Kr. 58,08
500 +	Kr. 25,965	Kr. 51,93

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 906-4353
Producentens varenummer:: IPB010N06NATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	180A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Serie	OptiMOS 5
	Emballagetype	TO-263
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	7
	Drain source modstand maks. Rds	1.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	300W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	208nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.31mm
	Højde	9.45mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4.57 mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Serie OptiMOS 5
	Emballagetype TO-263
	Monteringstype Overflade
	Benantal 7
	Drain source modstand maks. Rds 1.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 300W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 208nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.31mm
	Højde 9.45mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4.57 mm
	Bilindustristandarder Nej

RoHS Status: Undtaget

Infineon OptiMOSTM5 Power MOSFET'er

OptiMOSTM 5 60V er optimeret til synkron rettelse i strømforsyninger i tændt tilstand (SMPS) som dem, der findes i servere og stationære computere og tabletopladere. Desuden er disse enheder et perfekt valg til en bred vifte af industrielle anvendelser, herunder motorstyring, solcellemikroinverter og DC-DC-konverter med hurtig skifte.

Oversigt over funktioner

Optimeret til synkron ensretning

40 % lavere R _DS(on) end alternative enheder

40 % forbedring af FOM sammenlignet med lignende enheder

I overensstemmelse med RoHS - halogenfri

MSL1-certificeret

Optimeret til synkron ensretning

100 % lavineprøvet

Fremragende termisk modstandsdygtighed

N-kanal, normalt niveau

Kvalificeret i overensstemmelse med JEDEC1) til målapplikationer

Blyfri ledningsbelægning, i overensstemmelse med RoHS

Halogenfri i overensstemmelse med IEC61249-2-21

Fordele

Højeste systemeffektivitet

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Reduktion af systemomkostninger

Meget lav spændingsoverskridelse

Potentielle applikationer

Synkron berigtigelse

Solcelle-mikroomformere

Isolerede jævnstrøms-jævnstrømsomformere

Motorstyring til 12-48V-systemer

Afbrydere og afbrydere

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFET'er

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.