Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 898-6918
- Producentens varenummer:
- IPB011N04NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 4 enheder)*
Kr. 118,86
(ekskl. moms)
Kr. 148,576
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 512 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 4 - 16 | Kr. 29,715 | Kr. 118,86 |
| 20 - 76 | Kr. 26,163 | Kr. 104,65 |
| 80 - 196 | Kr. 22,853 | Kr. 91,41 |
| 200 - 396 | Kr. 21,45 | Kr. 85,80 |
| 400 + | Kr. 20,44 | Kr. 81,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 898-6918
- Producentens varenummer:
- IPB011N04NGATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 250W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 188nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.57mm | |
| Længde | 10.31mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 250W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 188nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.57mm | ||
Længde 10.31mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
RoHS Status: Ikke relevant
Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 180A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 250W maksimal effektafledning - IPB011N04NGATMA1
Denne MOSFET er optimeret til højtydende anvendelser i den elektriske og mekaniske sektor. Den har et robust design og en effektiv drift, hvilket gør den velegnet til automatiseringssystemer. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 180 A og en maksimal drain-source-spænding på 40 V giver den forbedret effektivitet og pålidelighed i kredsløbets ydeevne.
Egenskaber og fordele
• Høj strømstyrke forbedrer systemets effektivitet og ydeevne
• Lav Rds(on) reducerer strømtab under drift
• Overflademonteret design giver nem integration i PCB'er
• Kan aflede op til 250 W og bruges til mange forskellige formål
• Bredt driftstemperaturområde sikrer funktionalitet i forskellige miljøer - N-kanal-konfiguration giver forbedrede skifteegenskaber
Anvendelsesområder
• Anvendes i motorstyrings- og drevsystemer
• Velegnet til strømstyring i industriel automatisering
• Anvendes i DC-DC-konvertere og invertere
• Bruges til at skifte belastning i strømfordelingssystemer
• Kan anvendes i vedvarende energisystemer, f.eks. solcelleinvertere
Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm for denne enhed?
Enheden kan håndtere op til 180 A kontinuerlig afløbsstrøm, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj effekt.
Kan den fungere i høje temperaturer?
Ja, den har en maksimal driftstemperatur på +175 °C, hvilket giver en ensartet ydelse under udfordrende forhold.
Hvad er specifikationerne for gate-tærskelspændingen?
Den maksimale gate-tærskelspænding er 4V, mens den mindste er 2V, hvilket giver fleksibilitet i driftskompatibiliteten.
Hvilken type montering understøtter denne komponent?
Dette produkt er designet til overflademontering, hvilket gør det nemt at installere på forskellige printkort.
Hvordan bidrager denne MOSFET til strømeffektiviteten?
Den lave Rds(on)-værdi på 1,1 mΩ reducerer effekttabet betydeligt og forbedrer effektiviteten af elektroniske systemer generelt.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Type N-Kanal 180 A 40 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101