Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB011N04NGATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 4 enheder)*

Kr. 89,34

(ekskl. moms)

Kr. 111,676

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 2.512 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
4 +Kr. 22,335Kr. 89,34

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
898-6918
Producentens varenummer:
IPB011N04NGATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

1.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

188nC

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.57mm

Bredde

9.45 mm

Længde

10.31mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 180A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 250W maksimal effektafledning - IPB011N04NGATMA1


Denne MOSFET er optimeret til højtydende anvendelser i den elektriske og mekaniske sektor. Den har et robust design og en effektiv drift, hvilket gør den velegnet til automatiseringssystemer. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 180 A og en maksimal drain-source-spænding på 40 V giver den forbedret effektivitet og pålidelighed i kredsløbets ydeevne.

Egenskaber og fordele


• Høj strømstyrke forbedrer systemets effektivitet og ydeevne

• Lav Rds(on) reducerer strømtab under drift

• Overflademonteret design giver nem integration i PCB'er

• Kan aflede op til 250 W og bruges til mange forskellige formål

• Bredt driftstemperaturområde sikrer funktionalitet i forskellige miljøer - N-kanal-konfiguration giver forbedrede skifteegenskaber

Anvendelsesområder


• Anvendes i motorstyrings- og drevsystemer

• Velegnet til strømstyring i industriel automatisering

• Anvendes i DC-DC-konvertere og invertere

• Bruges til at skifte belastning i strømfordelingssystemer

• Kan anvendes i vedvarende energisystemer, f.eks. solcelleinvertere

Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm for denne enhed?


Enheden kan håndtere op til 180 A kontinuerlig afløbsstrøm, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj effekt.

Kan den fungere i høje temperaturer?


Ja, den har en maksimal driftstemperatur på +175 °C, hvilket giver en ensartet ydelse under udfordrende forhold.

Hvad er specifikationerne for gate-tærskelspændingen?


Den maksimale gate-tærskelspænding er 4V, mens den mindste er 2V, hvilket giver fleksibilitet i driftskompatibiliteten.

Hvilken type montering understøtter denne komponent?


Dette produkt er designet til overflademontering, hvilket gør det nemt at installere på forskellige printkort.

Hvordan bidrager denne MOSFET til strømeffektiviteten?


Den lave Rds(on)-værdi på 1,1 mΩ reducerer effekttabet betydeligt og forbedrer effektiviteten af elektroniske systemer generelt.

Relaterede links