Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 120 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB036N12N3GATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 32,43

(ekskl. moms)

Kr. 40,54

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 955 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 32,43

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
754-5428
Producentens varenummer:
IPB036N12N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

120V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

3.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

158nC

Effektafsættelse maks. Pd

300W

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.57mm

Længde

10.31mm

Bredde

9.45 mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links