Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3

RS-varenummer:: 145-9552
Producentens varenummer:: IPB011N04NGATMA1
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Forbedring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 12.207,00

(ekskl. moms)

Kr. 15.259,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 04. marts 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 12,207	Kr. 12.207,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 145-9552
Producentens varenummer:: IPB011N04NGATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	180A
	Drain source spænding maks. Vds	40V
	Emballagetype	TO-263
	Serie	OptiMOS 3
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	7
	Drain source modstand maks. Rds	1.1mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	188nC
	Effektafsættelse maks. Pd	250W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	-20V, +20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.31mm
	Højde	4.57mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	9.45mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A
	Drain source spænding maks. Vds 40V
	Emballagetype TO-263
	Serie OptiMOS 3
	Monteringstype Overflade
	Benantal 7
	Drain source modstand maks. Rds 1.1mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 188nC
	Effektafsættelse maks. Pd 250W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. -20V, +20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.31mm
	Højde 4.57mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 9.45mm
	Bilindustristandarder Nej

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 180A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 250W maksimal effektafledning - IPB011N04NGATMA1

Denne MOSFET er optimeret til højtydende anvendelser i den elektriske og mekaniske sektor. Den har et robust design og en effektiv drift, hvilket gør den velegnet til automatiseringssystemer. Med en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 180 A og en maksimal drain-source-spænding på 40 V giver den forbedret effektivitet og pålidelighed i kredsløbets ydeevne.

Egenskaber og fordele

• Høj strømstyrke forbedrer systemets effektivitet og ydeevne

• Lav Rds(on) reducerer strømtab under drift

• Overflademonteret design giver nem integration i PCB'er

• Kan aflede op til 250 W og bruges til mange forskellige formål

• Bredt driftstemperaturområde sikrer funktionalitet i forskellige miljøer - N-kanal-konfiguration giver forbedrede skifteegenskaber

Anvendelsesområder

• Anvendes i motorstyrings- og drevsystemer

• Velegnet til strømstyring i industriel automatisering

• Anvendes i DC-DC-konvertere og invertere

• Bruges til at skifte belastning i strømfordelingssystemer

• Kan anvendes i vedvarende energisystemer, f.eks. solcelleinvertere

Hvad er den maksimale kontinuerlige afløbsstrøm for denne enhed?

Enheden kan håndtere op til 180 A kontinuerlig afløbsstrøm, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj effekt.

Kan den fungere i høje temperaturer?

Ja, den har en maksimal driftstemperatur på +175 °C, hvilket giver en ensartet ydelse under udfordrende forhold.

Hvad er specifikationerne for gate-tærskelspændingen?

Den maksimale gate-tærskelspænding er 4V, mens den mindste er 2V, hvilket giver fleksibilitet i driftskompatibiliteten.

Hvilken type montering understøtter denne komponent?

Dette produkt er designet til overflademontering, hvilket gør det nemt at installere på forskellige printkort.

Hvordan bidrager denne MOSFET til strømeffektiviteten?

Den lave Rds(on)-værdi på 1,1 mΩ reducerer effekttabet betydeligt og forbedrer effektiviteten af elektroniske systemer generelt.