Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej IPB031N08N5ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 99,69

(ekskl. moms)

Kr. 124,61

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 19,938Kr. 99,69
25 - 45Kr. 16,756Kr. 83,78
50 - 120Kr. 15,752Kr. 78,76
125 - 245Kr. 14,542Kr. 72,71
250 +Kr. 13,554Kr. 67,77

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
220-7378
Producentens varenummer:
IPB031N08N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

120A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

3.1mΩ

Kanalform

Forbedring

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS 5 80V industriel power MOSFET IPB031N08N5 tilbyder en RDS(on)-reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i strømforsyninger til telekommunikation og server. Desuden kan de også anvendes i andre industrielle anvendelser, f.eks. solceller, lavspændingsdrev og adaptere.

Optimeret til synkron ensretning

Velegnet til høj skiftefrekvens

Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %

R DS(on) reduktion på op til 44 %

Højeste systemeffektivitet

Færre skift og ledningstab

Mindre parallelisering nødvendig

Forøget effekttæthed

Lav udgangsspændingsoversving

Relaterede links