Infineon N-Kanal, MOSFET og Diode, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 220-7378
- Producentens varenummer:
- IPB031N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 25 flere for at gemme Kr. 127,50
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 159,62
(ekskl. moms)
Kr. 199,53
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 990 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 31,924 | Kr. 159,62 | - |
| 25 - 45 | Kr. 26,824 | Kr. 134,12 | Kr. 127,50 |
| 50 - 120 | Kr. 25,222 | Kr. 126,11 | Kr. 335,10 |
| 125 - 245 | Kr. 23,308 | Kr. 116,54 | Kr. 1.077,00 |
| 250 + | Kr. 21,722 | Kr. 108,61 | Kr. 2.550,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7378
- Producentens varenummer:
- IPB031N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80V industriel power MOSFET IPB031N08N5 tilbyder en RDS(on)-reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i strømforsyninger til telekommunikation og server. Desuden kan de også anvendes i andre industrielle anvendelser, f.eks. solceller, lavspændingsdrev og adaptere.
Optimeret til synkron ensretning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %
R DS(on) reduktion på op til 44 %
Højeste systemeffektivitet
Færre skift og ledningstab
Mindre parallelisering nødvendig
Forøget effekttæthed
Lav udgangsspændingsoversving
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS
- Infineon N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 180 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon N-Kanal 50 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T
- Infineon N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101