Infineon Type N-Kanal, MOSFET og Diode, 120 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-varenummer:
- 220-7378
- Producentens varenummer:
- IPB031N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 120,73
(ekskl. moms)
Kr. 150,91
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 990 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | Kr. 24,146 | Kr. 120,73 |
| 25 - 45 | Kr. 20,286 | Kr. 101,43 |
| 50 - 120 | Kr. 19,088 | Kr. 95,44 |
| 125 - 245 | Kr. 17,622 | Kr. 88,11 |
| 250 + | Kr. 16,426 | Kr. 82,13 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 220-7378
- Producentens varenummer:
- IPB031N08N5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET og Diode | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 120A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET og Diode | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 120A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.1mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80V industriel power MOSFET IPB031N08N5 tilbyder en RDS(on)-reduktion på 43 % sammenlignet med tidligere generationer og er ideelt egnet til høje switching-frekvenser. Enhederne i denne serie er specielt designet til synkron ensretning i strømforsyninger til telekommunikation og server. Desuden kan de også anvendes i andre industrielle anvendelser, f.eks. solceller, lavspændingsdrev og adaptere.
Optimeret til synkron ensretning
Velegnet til høj skiftefrekvens
Udgangskapacitetsreduktion på op til 44 %
R DS(on) reduktion på op til 44 %
Højeste systemeffektivitet
Færre skift og ledningstab
Mindre parallelisering nødvendig
Forøget effekttæthed
Lav udgangsspændingsoversving
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 120 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 70 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS
- Infineon Type N-Kanal 120 A 100 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 75 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 50 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS-T
- Infineon Type N-Kanal 180 A 120 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Type N-Kanal 180 A 80 V Forbedring TO-263, OptiMOS 3