Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 6.787,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.484,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 5.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 6,787Kr. 6.787,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
911-0834
Producentens varenummer:
IPB200N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Emballagetype

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.57mm

Længde

10.31mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

9.45 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links