Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 6.787,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.484,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 5.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 6,787Kr. 6.787,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
911-0834
Producentens varenummer:
IPB200N15N3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

OptiMOS 3

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

20mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

23nC

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.31mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

4.57mm

Bredde

9.45 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFET'er, 100 V og derover


MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links