Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET Nej
- RS-varenummer:
- 124-8763
- Producentens varenummer:
- IRFP260MPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 370,325
(ekskl. moms)
Kr. 462,90
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 750 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 14,813 | Kr. 370,33 |
| 50 - 100 | Kr. 12,59 | Kr. 314,75 |
| 125 - 225 | Kr. 11,851 | Kr. 296,28 |
| 250 - 600 | Kr. 10,963 | Kr. 274,08 |
| 625 + | Kr. 10,517 | Kr. 262,93 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-8763
- Producentens varenummer:
- IRFP260MPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 234nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 16.13mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 21.1mm | |
| Bredde | 5.2 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 234nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 16.13mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 21.1mm | ||
Bredde 5.2 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET fra 150 V til 600 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFETer industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 50 A 200 V TO-247AC, HEXFET IRFP260MPBF
- Infineon N-Kanal 50 A 200 V TO-247AC, HEXFET IRFP260NPBF
- Infineon 182 A 200 V HEXFET IRF200P222
- Infineon N-Kanal 200 A 75 V HEXFET IRFP3077PBF
- Infineon N-Kanal 75 A 200 V HEXFET IRFP4127PBF
- Infineon N-Kanal 94 A 200 V TO-247AC, HEXFET IRFP90N20DPBF
- Infineon N-Kanal 30 A 200 V TO-247AC, HEXFET IRFP250NPBF
- Infineon N-Kanal 65 A 200 V TO-247AC, HEXFET IRFP4227PBF
