Infineon N-Kanal, MOSFET, 50 A 200 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 124-8763
- Producentens varenummer:
- IRFP260MPBF
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 15%
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 396,23
(ekskl. moms)
Kr. 495,28
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 400 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 15,849 | Kr. 396,23 | - |
| 50 - 100 | Kr. 13,47 | Kr. 336,75 | 15% |
| 125 - 225 | Kr. 12,677 | Kr. 316,93 | 20% |
| 250 - 600 | Kr. 11,726 | Kr. 293,15 | 26% |
| 625 + | Kr. 11,253 | Kr. 281,33 | 28% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-8763
- Producentens varenummer:
- IRFP260MPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 40mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 234nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 300W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 21.1mm | |
| Længde | 16.13mm | |
| Bredde | 5.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 40mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 234nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 300W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 21.1mm | ||
Længde 16.13mm | ||
Bredde 5.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal Power MOSFET fra 150 V til 600 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 50 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 186 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 483 A 100 V Forbedring HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 224 A 150 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 160 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 94 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 209 A 75 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon N-Kanal 110 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET