Infineon N-Kanal, MOSFET, 104 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 512,25

(ekskl. moms)

Kr. 640,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 700 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 10,245Kr. 512,25
100 - 200Kr. 8,606Kr. 430,30
250 +Kr. 8,315Kr. 415,75

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-9005
Producentens varenummer:
IRFB4115PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

104A

Drain source spænding maks. Vds

150V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

11mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

77nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

380W

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

9.02mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

10.67mm

Bredde

4.83mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon HEXFET seriens MOSFET, 150 V maksimal drain source-spænding, 104 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IRFB4115PBF


Denne MOSFET er en højtydende N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til koblings- og strømkonverteringsopgaver i krævende elektroniske systemer. Den fungerer på tværs af et bredt termisk område, der er velegnet til krævende miljøer, og leveres i en TO-220-pakke med gennemgående hul til nem køleplade og montering. Enheden leverer en betydelig kontinuerlig afløbsstrømkapacitet og er beregnet til anvendelser, der kræver effektiv håndtering af høj strøm og hurtig skifteydeevne.

Egenskaber og fordele:


• 150 V maksimal afløbsspænding muliggør højspændingsswitching
• 104 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 11 mΩ lav RDS(on) minimerer ledningstab ved høj strøm
• 380 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 77 nC typisk gate-ladning muliggør hurtige skifteovergange
• 1.3 V fremadgående spænding reducerer diodeledningsfald

Anvendelser


• Velegnet til Infineon HEXFET 150 V MOSFET TO-220 motordrev
• Ideel til 150 V 104 A MOSFET'er til switch-mode strømforsyninger
• Anvendes sammen med N-kanalforstærknings-MOSFET-kredsløb med høj effekt
• Kan bruges til TO-220 MOSFET 380 W effekttrin med gennemgående hul

Hvilke gate-spændingsgrænser skal designere overholde?


Port-til-kilde-klassificeringen er ±20 V, så drevkredsløb skal holde VGS inden for dette område for at undgå portbeskadigelse.

Hvordan fungerer enheden under ekstreme temperaturer?


Den er specificeret til drift fra -55 °C til 175 °C, hvilket sikrer, at elektriske egenskaber opretholdes under disse omgivelses- og forbindelsesforhold.

Hvilke hensyn til montering og antal ben gælder?


Komponenten har tre ben og er beregnet til montering gennem hul i et TO-220-format for at lette sikker montering af kølelegeme.

Hvilken kanal og ledningstilstand bruger den?


Det er en N-kanal-enhed, der fungerer i forstærkning, hvilket kræver en positiv gate i forhold til kilden for at tænde.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.