Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 170 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, HEXFET
- RS-varenummer:
- 124-9010
- Producentens varenummer:
- IRFP2907ZPBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 25 enheder)*
Kr. 606,55
(ekskl. moms)
Kr. 758,20
(inkl. moms)
Tilføj 25 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 27. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | Kr. 24,262 | Kr. 606,55 |
| 50 - 100 | Kr. 19,894 | Kr. 497,35 |
| 125 - 225 | Kr. 18,682 | Kr. 467,05 |
| 250 - 475 | Kr. 17,955 | Kr. 448,88 |
| 500 + | Kr. 17,225 | Kr. 430,63 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 124-9010
- Producentens varenummer:
- IRFP2907ZPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 170A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 310W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.3mm | |
| Bredde | 5.3 mm | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 170A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 310W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.3mm | ||
Bredde 5.3 mm | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
N-kanal Power MOSFET fra 60 V til 80 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 170 A 80 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 33 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 209 A 75 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 50 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 94 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 160 A 55 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 30 A 200 V Forbedring TO-247, HEXFET
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-247, HEXFET