Toshiba N-Kanal, MOSFET, 5,8 A 650 V, 3 ben, IPAK (TO-251), DTMOSIV TK6Q65W,S1Q(S
- RS-varenummer:
- 125-0590P
- Producentens varenummer:
- TK6Q65W,S1Q(S
- Brand:
- Toshiba
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
- RS-varenummer:
- 125-0590P
- Producentens varenummer:
- TK6Q65W,S1Q(S
- Brand:
- Toshiba
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 5,8 A | |
| Drain source spænding maks. | 650 V | |
| Serie | DTMOSIV | |
| Kapslingstype | IPAK (TO-251) | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 1,05 Ω | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 3.5V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 2.5V | |
| Effektafsættelse maks. | 60 W | |
| Gate source spænding maks. | -30 V, +30 V | |
| Transistormateriale | Si | |
| Længde | 6.65mm | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 11 nC ved 10 V | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 2.3mm | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Højde | 7.12mm | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.7V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 5,8 A | ||
Drain source spænding maks. 650 V | ||
Serie DTMOSIV | ||
Kapslingstype IPAK (TO-251) | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 1,05 Ω | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 3.5V | ||
Mindste tærskelspænding for port 2.5V | ||
Effektafsættelse maks. 60 W | ||
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V | ||
Transistormateriale Si | ||
Længde 6.65mm | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 11 nC ved 10 V | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 2.3mm | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Højde 7.12mm | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.7V | ||