Infineon N-Kanal, MOSFET, 129 A 135 V Forbedring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-0937
- Producentens varenummer:
- IRF135S203
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 36,20
(ekskl. moms)
Kr. 45,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 748 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 18,10 | Kr. 36,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0937
- Producentens varenummer:
- IRF135S203
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 129A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 135V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 441W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Portkildespænding maks. | -20V, +20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.83mm | |
| Højde | 9.65mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 129A | ||
Drain source spænding maks. Vds 135V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 441W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Portkildespænding maks. -20V, +20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.83mm | ||
Højde 9.65mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon StrongIRFET serien er optimeret til lav RDS(on) og høj strømkapacitet. Dette sortiment giver forbedret port-, lavine og dynamisk dv/dt robusthed, der er velegnet til industrielle lavfrekvensanvendelser, inklusive motorstyringer, el-værktøj, invertere og batteristyring, hvor ydelse og robusthed er afgørende.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 129 A 135 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 24 A 200 V Forbedring HEXFET
- Infineon N-Kanal 30 A 55 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 106 A 75 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 293 A 60 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 250 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET
- Infineon N-Kanal 522 A 40 V Forbedring TO-263, HEXFET