Infineon N-Kanal, MOSFET, 86 A 60 V, DirectFET isometrisk, DirectFET, HEXFET IRF6648TRPBF

DirectFET® effektkapsling er en overflademonteret power MOSFET kapslingsteknologi. DirectFET® MOSFET'er er en løsning til at reducere energitab, mens det designede areal krympes, til anvendelser i avancerede switching-opgaver.

Branchens laveste modstand ved tændt med de respektive bundarealer
Ekstremt lavt husmodstand for at minimere ledningstab
Meget effektiv dobbeltsidet køling forbedrer effekttæthed, omkostninger og pålidelighed betydeligt
Lav profil på kun 0,7 mm

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.