Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 5.4 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, HEXFET
- RS-varenummer:
- 130-0969P
- Producentens varenummer:
- IRF9335TRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 27,775
(ekskl. moms)
Kr. 34,725
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 3.675 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 + | Kr. 1,111 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 130-0969P
- Producentens varenummer:
- IRF9335TRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 5.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.5W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 9.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.5W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 9.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 5mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal Power MOSFET 30 V, Infineon
Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- 1-AR40-10-48 | Air 110k/tm, Diameter: 1170mm Air 40 48V
- 500-181-30 | Mitutoyo 150mm Digital Skydelære, Metrisk
- 1-AR40-10-24 | Air 110k/tm, Diameter: 1170mm Air 40 24V
- RS PRO Aluminium Stiverprofil L: 1000mm, 40 x 40 mm
- Varmeisolerende plade Aerogel Miroporøst tæppe, 1m x 700mm x 10mm
- RS PRO Kabelsko/Crimpterminaler i sæt
- Arduino Tinkerkit Braccio robot
- RS PRO Rustfrit stål