ROHM N-Kanal, MOSFET, 11 A 30 V, 8 ben, DFN, RF4E110GN RF4E110GNTR

Brand

ROHM

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

11 A

Drain source spænding maks.

30 V

Kapslingstype

DFN

Serie

RF4E110GN

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks.

16,5 mΩ

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

2.5V

Mindste tærskelspænding for port

1V

Effektafsættelse maks.

2 W

Transistorkonfiguration

Enkelt

Gate source spænding maks.

-20 V, +20 V

Bredde

2.1mm

Længde

2.1mm

Antal elementer per chip

1

Gate-ladning ved Vgs typisk

7,4 nC ved 10 V

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Gennemgangsspænding for diode

1.2V

Højde

0.6mm