Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 65 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 134-9725P
- Producentens varenummer:
- SIR668DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Indhold 2 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 21,54
(ekskl. moms)
Kr. 26,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 7.358 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 2 + | Kr. 10,77 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 134-9725P
- Producentens varenummer:
- SIR668DP-T1-RE3
- Brand:
- Vishay
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 65A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 5.05mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 72nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.26mm | |
| Længde | 6.25mm | |
| Højde | 1.12mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 65A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 5.05mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 72nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.26mm | ||
Længde 6.25mm | ||
Højde 1.12mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
