Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSN20BK
- RS-varenummer:
- 136-4845
- Producentens varenummer:
- BSN20BKR
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 134,00
(ekskl. moms)
Kr. 168,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 400 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 01. juli 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 05. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | Kr. 1,34 | Kr. 134,00 |
| 600 - 1400 | Kr. 1,096 | Kr. 109,60 |
| 1500 + | Kr. 0,942 | Kr. 94,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 136-4845
- Producentens varenummer:
- BSN20BKR
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 330mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | BSN20BK | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.8Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.49nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.67W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 330mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie BSN20BK | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.8Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.49nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.67W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal MOSFET, 60 V til 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 330 mA 60 V Forbedring SOT-23, BSN20BK
- Nexperia Type N-Kanal 270 mA 60 V Forbedring SOT-23
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, PMBF170
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23, 2N7002P
- Nexperia Type N-Kanal 360 mA 60 V Forbedring SOT-23, BSS138BK
- Nexperia Type N-Kanal 300 mA 60 V Forbedring SOT-23, NX7002AK
- Nexperia Type N-Kanal 3.1 A 60 V Forbedring SOT-23 AEC-Q101