Nexperia Type P-Kanal, MOSFET, 2.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, BSH205G2 AEC-Q101 BSH205G2R
- RS-varenummer:
- 136-4849
- Producentens varenummer:
- BSH205G2R
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 100 enheder)*
Kr. 96,10
(ekskl. moms)
Kr. 120,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 3.000 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 100 - 500 | Kr. 0,961 | Kr. 96,10 |
| 600 - 1400 | Kr. 0,791 | Kr. 79,10 |
| 1500 + | Kr. 0,685 | Kr. 68,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 136-4849
- Producentens varenummer:
- BSH205G2R
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Serie | BSH205G2 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 170mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.25W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.7nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Serie BSH205G2 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 170mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.25W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.7nC | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Længde 3mm | ||
Højde 1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterede links
- Nexperia P-Kanal 2 3 ben BSH205G2 AEC-Q101 BSH205G2R
- Nexperia P-Kanal 3 3 ben, SOT-23 AEC-Q101 PMV65XPEAR
- Nexperia P-Kanal 5 3 ben, SOT-23 AEC-Q101 PMV30XPEAR
- Nexperia P-Kanal 5 3 ben, SOT-23 AEC-Q101 PMV27UPEAR
- Nexperia P-Kanal 1 3 ben PMV250EPEA AEC-Q101 PMV250EPEAR
- Infineon N-Kanal 2 3 ben OptiMOS™ 2 AEC-Q101 BSS806NH6327XTSA1
- Infineon P-Kanal 2 3 ben HEXFET IRLML9303TRPBF
- onsemi P-Kanal 2 6 ben PowerTrench FDC6312P
