Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 150 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFB4019PBF
- RS-varenummer:
- 145-8607
- Producentens varenummer:
- IRFB4019PBF
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 536,30
(ekskl. moms)
Kr. 670,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 350 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 10,726 | Kr. 536,30 |
| 100 - 200 | Kr. 10,191 | Kr. 509,55 |
| 250 - 450 | Kr. 9,761 | Kr. 488,05 |
| 500 - 950 | Kr. 9,118 | Kr. 455,90 |
| 1000 + | Kr. 8,581 | Kr. 429,05 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 145-8607
- Producentens varenummer:
- IRFB4019PBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 13nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 9.02mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 4.82 mm | |
| Længde | 10.66mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 9.02mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 4.82 mm | ||
Længde 10.66mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
Digital audio MOSFET, Infineon
Class D forstærkere er hurtigt ved at blive den foretrukne løsning til professionelle og lyd- og videosystemer i hjemmet. Infineon tilbyder et omfattende sortiment, der forenkler højeffektivt Class D forstærkerdesign.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.
Relaterede links
- Infineon N-Kanal 17 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRFB4019PBF
- Infineon N-Kanal 35 A 150 V HEXFET IRFB5615PBF
- Infineon N-Kanal 17 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRFZ24NPBF
- Infineon N-Kanal 17 A 100 V TO-220AB, HEXFET IRF530NPBF
- Infineon N-Kanal 23 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRF3315PBF
- Infineon N-Kanal 83 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRFB4228PBF
- Infineon N-Kanal 150 A 55 V TO-220AB, HEXFET IRF1405ZPBF
- Infineon N-Kanal 23 A 150 V TO-220AB, HEXFET IRFB23N15DPBF