Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

RS-varenummer:: 919-4842
Producentens varenummer:: IRF530NPBF
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 204,20

(ekskl. moms)

Kr. 255,25

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

200 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 50 enhed(er) afsendes fra 03. februar 2026
Plus 2.000 enhed(er) afsendes fra 18. juni 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 4,084	Kr. 204,20
100 - 200	Kr. 3,145	Kr. 157,25
250 - 450	Kr. 2,941	Kr. 147,05
500 - 1200	Kr. 2,736	Kr. 136,80
1250 +	Kr. 2,533	Kr. 126,65

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4842
Producentens varenummer:: IRF530NPBF
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	17A
	Drain source spænding maks. Vds	100V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	HEXFET
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	90mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	37nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20 V
	Effektafsættelse maks. Pd	70W
	Gennemgangsspænding Vf	1.3V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Længde	10.54mm
	Højde	8.77mm
	Bredde	4.69 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17A
	Drain source spænding maks. Vds 100V
	Emballagetype TO-220
	Serie HEXFET
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 90mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 37nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20 V
	Effektafsættelse maks. Pd 70W
	Gennemgangsspænding Vf 1.3V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Længde 10.54mm
	Højde 8.77mm
	Bredde 4.69 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

Log ind for at downloade CAD-modeller

COO (Country of Origin):: MX

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 17A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 70W maksimal effektafledning - IRF530NPBF

Denne højeffekt-MOSFET er designet til effektive switching-applikationer og giver en robust ydeevne i forskellige miljøer. Dens konfiguration med N-kanalforstærkning gør den velegnet til mange elektroniske og elektriske anvendelser, hvor effektiv strømstyring er afgørende. De vigtigste specifikationer positionerer den som en vigtig komponent i moderne automatiserings- og kontrolsystemer.

Egenskaber og fordele

• Lav tændingsmodstand på 90mΩ forbedrer effektiviteten

• Maksimal håndtering af afløbsstrøm på 17A

• Driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C

• Hurtig skiftehastighed reducerer energitab

• Robust design forbedrer pålideligheden under belastning

• Alsidig TO-220AB-pakke giver nem integration

Anvendelsesområder

• Strømstyring i industriel automatisering

• Integration i motorstyringskredsløb

• Anvendelse i strømforsyningssystemer til spændingsregulering

• Anvendelse i højeffektive omformere og invertere

• Velegnet til forbrugerelektronik, der kræver dynamisk belastningsstøtte

Er der en bestemt gate-spænding, der kræves for optimal drift?

Enheden fungerer effektivt med et gate-source-spændingsområde på -20V til +20V, hvilket sikrer pålidelig switching-funktionalitet.

Hvad er den maksimale pulsstrøm for denne enhed?

Den maksimale pulserende afløbsstrøm er normeret til 60 A, hvilket giver mulighed for transiente forhold uden at gå på kompromis med enhedens integritet.

Hvordan påvirker værdier for termisk modstand ydeevnen?

Med en termisk modstand fra overgang til kabinet på 2,15 °C/W er effektiv varmeafledning afgørende for at opretholde ydeevnen under høj belastning.

Hvilke overvejelser skal jeg gøre mig, når jeg lodder denne komponent?

Den anbefalede loddetemperatur er 300°C i 10 sekunder. Det er vigtigt at overholde denne retningslinje for at undgå skader.

N-kanal Power MOSFET 100 V, Infineon

Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder til overflademontering og leadet pakker. Formfaktorerne kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.