Infineon N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF530NPBF

RS-varenummer:: 919-4842
Producentens varenummer:: IRF530NPBF
Brand:: Infineon

Infineon N-Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, 3 ben, TO-220AB, HEXFET IRF530NPBF

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 242,05

(ekskl. moms)

Kr. 302,55

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

100 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Plus 2.100 enhed(er) afsendes fra 18. juli 2025

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Pr stk.	Pr rør*
50 - 50	Kr. 4,841	Kr. 242,05
100 - 200	Kr. 3,73	Kr. 186,50
250 - 450	Kr. 3,486	Kr. 174,30
500 - 1200	Kr. 3,243	Kr. 162,15
1250 +	Kr. 3,002	Kr. 150,10

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 919-4842
Producentens varenummer:: IRF530NPBF
Brand:: Infineon

Log ind for at downloade CAD-modeller

Infineon MOSFET i HEXFET-serien, 17A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 70W maksimal effektafledning - IRF530NPBF

Denne højeffekt-MOSFET er designet til effektive switching-applikationer og giver en robust ydeevne i forskellige miljøer. Dens konfiguration med N-kanalforstærkning gør den velegnet til mange elektroniske og elektriske anvendelser, hvor effektiv strømstyring er afgørende. De vigtigste specifikationer positionerer den som en vigtig komponent i moderne automatiserings- og kontrolsystemer.

Egenskaber og fordele

• Lav tændingsmodstand på 90mΩ forbedrer effektiviteten
• Maksimal håndtering af afløbsstrøm på 17A
• Driftstemperaturområde fra -55 °C til +175 °C
• Hurtig skiftehastighed reducerer energitab
• Robust design forbedrer pålideligheden under belastning
• Alsidig TO-220AB-pakke giver nem integration

Anvendelsesområder

• Strømstyring i industriel automatisering
• Integration i motorstyringskredsløb
• Anvendelse i strømforsyningssystemer til spændingsregulering
• Anvendelse i højeffektive omformere og invertere
• Velegnet til forbrugerelektronik, der kræver dynamisk belastningsstøtte

Er der en bestemt gate-spænding, der kræves for optimal drift?

Enheden fungerer effektivt med et gate-source-spændingsområde på -20V til +20V, hvilket sikrer pålidelig switching-funktionalitet.

Hvad er den maksimale pulsstrøm for denne enhed?

Den maksimale pulserende afløbsstrøm er normeret til 60 A, hvilket giver mulighed for transiente forhold uden at gå på kompromis med enhedens integritet.

Hvordan påvirker værdier for termisk modstand ydeevnen?

Med en termisk modstand fra overgang til kabinet på 2,15 °C/W er effektiv varmeafledning afgørende for at opretholde ydeevnen under høj belastning.

Hvilke overvejelser skal jeg gøre mig, når jeg lodder denne komponent?

Den anbefalede loddetemperatur er 300°C i 10 sekunder. Det er vigtigt at overholde denne retningslinje for at undgå skader.

Kan jeg bruge den i applikationer med svingende strømforsyning?

Ja, enheden er designet til at håndtere dynamiske forhold, hvilket gør den velegnet til forskellige anvendelser med variable belastninger og strømkilder.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Attribute	Value
Kanaltype	N
Drain-strøm kontinuerlig maks.	17 A
Drain source spænding maks.	100 V
Kapslingstype	TO-220AB
Serie	HEXFET
Monteringstype	Hulmontering
Benantal	3
Drain source modstand maks.	90 mΩ
Kanalform	Enhancement
Maks. tærskelspænding for port	4V
Mindste tærskelspænding for port	2V
Effektafsættelse maks.	70 W
Transistorkonfiguration	Enkelt
Gate source spænding maks.	-20 V, +20 V
Transistormateriale	Si
Bredde	4.69mm
Driftstemperatur maks.	+175 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk	37 nC ved 10 V
Længde	10.54mm
Antal elementer per chip	1
Højde	8.77mm
Driftstemperatur min.	-55 °C
Gennemgangsspænding for diode	1.3V