Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, HEXFET Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2000 enheder)*

Kr. 3.818,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.772,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 12.000 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2000 +Kr. 1,909Kr. 3.818,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-8749
Producentens varenummer:
IRLR024NTRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

17A

Drain source spænding maks. Vds

55V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

110mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Portkildespænding maks.

16 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

15nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.39mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

N-kanal Power MOSFET 55 V, Infineon


Infineons serie af diskrete HEXFET® power MOSFET'er omfatter N-kanal-enheder i overflademontering leadet pakker og formfaktorer, der kan håndtere næsten alle udfordringer i forbindelse med kortlayout og termisk design. Benchmark af modstand på tværs af serien reducerer tab i ledninger og giver udviklere mulighed for at levere den optimale systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon


Infineon tilbyder et stort og omfattende sortiment af MOSFET-enheder, som inkluderer CoolMOS, OptiMOS og StrongIRFET serierne. De leverer klassens bedste ydelse mht. effektivitet, effekt i forhold til fysisk størrelse og omkostningseffektivitet. Konstruktioner, som kræver høj kvalitet og forbedret beskyttelse, kan med fordel baseres på AEC-Q101 MOSFET’er industristandard godkendt til brug i biler.

Relaterede links