Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET Nej

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 357,50

(ekskl. moms)

Kr. 447,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 14,30Kr. 357,50
50 - 100Kr. 13,585Kr. 339,63
125 - 225Kr. 13,013Kr. 325,33
250 - 475Kr. 12,441Kr. 311,03
500 +Kr. 11,583Kr. 289,58

*Vejledende pris

RS-varenummer:
145-9658
Producentens varenummer:
IRFP7530PBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

195A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

StrongIRFET

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

341W

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

274nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

5.31 mm

Længde

15.87mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

20.7mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
MX

Infineon StrongIRFET Series MOSFET, 195A maksimal kontinuerlig afløbsstrøm, 341W maksimal effektafledning - IRFP7530PBF


Denne MOSFET er beregnet til højtydende strømstyringsapplikationer og har funktioner, der understøtter en lang række elektroniske systemer. Den muliggør effektiv energioverførsel og minimerer strømtab, hvilket gør den til en vigtig komponent i avancerede kredsløb, der bruges til automatisering og motorstyring.

Egenskaber og fordele


• Kontinuerlig afløbsstrøm på 195A forbedrer driftseffektiviteten

• Maksimal drain-source-spænding på 60V giver plads til forskellige applikationer

• Lav tændingsmodstand på 2 mΩ reducerer strømforbruget

• Tåler ekstreme temperaturer fra -55 °C til +175 °C

• Gate-tærskelspænding på 2,1 V til 3,7 V optimerer switching-ydelsen

• Høj lavine- og dynamisk dV/dt-robusthed øger pålideligheden

Anvendelsesområder


• Velegnet til drev med børstet motor

• Bruges i batteridrevne kredsløb for øget effektivitet

• Kan anvendes i halv- og helbro-konfigurationer til fleksibelt kredsløbsdesign

• Effektiv i synkron ensretter for forbedret effektivitet

• Anvendes i DC/DC- og AC/DC-omformere inden for effektelektronik

Hvad er fordelene ved at bruge det i højstrømsapplikationer?


Anvendelsen af denne MOSFET under højstrømsforhold giver mulighed for effektiv strømstyring, samtidig med at varmeudviklingen minimeres på grund af den lave on-modstand, hvilket sikrer stabil ydelse under krævende drift.

Hvordan påvirker temperaturen ydeevnen?


Temperaturen påvirker driftsgrænserne, og en maksimal tilslutningstemperatur på 175 °C sikrer funktionalitet under vanskelige forhold. Dens termiske modstandsdygtighed hjælper med at opretholde pålideligheden i miljøer med høje temperaturer.

Kan det integreres i eksisterende kredsløb?


Ja, dens standard TO-247 pakkedesign tillader nem integration i både nye og eksisterende kredsløbslayouts, hvilket gør den velegnet til udskiftninger eller opgraderinger på tværs af forskellige applikationer.

Hvad skal man overveje for at få en effektiv varmeafledning?


For at opretholde optimal ydeevne skal du sørge for passende kølemekanismer, da den maksimale effektafledning er 341 W. Brug af kølelegemer eller ventilatorer kan hjælpe med at styre temperaturen effektivt.

Er det egnet til brug i bilindustrien?


Ja, dens robuste specifikationer lever op til kravene i bilindustrien og er et godt valg i miljøer med høje temperaturer og høj effekt.

Relaterede links