onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 5.5 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, QFET Nej FQP6N80C

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 503,95

(ekskl. moms)

Kr. 629,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 600 enhed(er) afsendes fra 01. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 +Kr. 10,079Kr. 503,95

*Vejledende pris

RS-varenummer:
146-1971
Producentens varenummer:
FQP6N80C
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.5A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-220

Serie

QFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.5Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

158W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.4mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.7 mm

Længde

10.1mm

Bilindustristandarder

Nej

QFET® N-kanal MOSFET, op til 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.

De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links