onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 5.5 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, QFET

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 109,06

(ekskl. moms)

Kr. 136,325

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 615 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 21,812Kr. 109,06

*Vejledende pris

RS-varenummer:
671-5161
Producentens varenummer:
FQP6N80C
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.5A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-220

Serie

QFET

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

2.5Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

21nC

Effektafsættelse maks. Pd

158W

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

9.4mm

Længde

10.1mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

4.7 mm

Bilindustristandarder

Nej

QFET® N-kanal MOSFET, op til 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.

De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.

MOSFET transistorer, PÅ Semi


På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.

Relaterede links

Recently viewed