Nexperia P-Kanal, MOSFET, 3,2 A -12 V, 4 ben, DFN1010D-3 PMXB65UPEZ

P-kanal MOSFET'er, passer perfekt til dit design, når N-kanaler ganske enkelt ikke er velegnede, vores omfattende MOSFET katalog indeholder også mange P-kanal enhedsserier baseret på Nexperias førende Trench-teknologi. De er normeret fra 12 V til 70 V og sidder i lav- og mellemeffekthuse og har vores velkendte blanding af høj effektivitet og høj pålidelighed.

12 V, P-kanal Trench MOSFET, P-kanal felteffekttransistor (FET) med optimeret tilstand i et ledningsfrit ultralille DFN1010D-3 (SOT1215) overflademonteret (SMD) plasthus med Trench MOSFET-teknologi.

Trench MOSFET-teknologi
Ledningsfrit ultralille og ultratyndt SMD plasthus: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Udsat aftapningspude for fremragende termisk ledeevne
Beskyttelse mod elektrostatisk afladning (ESD) 1,5 kV HBM
Drain-source on-state-modstand RDSon = 59 mΩ
Meget lav gate-source-tærskelspænding til bærbare anvendelser VGS(th) = -0,68 V