Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 2.7 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SOIC, Si4848DY
- RS-varenummer:
- 152-6374
- Producentens varenummer:
- SI4848DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 73,15
(ekskl. moms)
Kr. 91,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 5 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 470 enhed(er) afsendes fra 11. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 14,63 | Kr. 73,15 |
| 50 - 120 | Kr. 13,194 | Kr. 65,97 |
| 125 - 245 | Kr. 12,446 | Kr. 62,23 |
| 250 - 495 | Kr. 11,698 | Kr. 58,49 |
| 500 + | Kr. 10,98 | Kr. 54,90 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 152-6374
- Producentens varenummer:
- SI4848DY-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.7A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | Si4848DY | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 95mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 3W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.55mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.7A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie Si4848DY | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 95mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 3W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.55mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Halogenfri
TrenchFET® Power MOSFET