Nexperia P-Kanal, MOSFET, 500 mA -20 V, 8 ben, DFN1010B-6 PMDXB950UPELZ

P-kanals MOSFET'er, det perfekte valg til dit design, når N-kanaler ganske enkelt ikke er velegnede. Vores omfattende MOSFET-katalog indeholder også mange serier med P-kanals enheder, der er baseret på Nexperias førende Trench-teknologi. De har mærkeværdi fra 12 V til 70 V og er kapslet i laveffekts og mediumeffekts huse, og de har vores velkendte blanding af høj effektivitet og høj pålidelighed.

20 V, dobbelt P-kanals Trench MOSFET, dobbelt P-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et meget lille ledningsfrit overflademonteret (SMD) DFN1010B-6-plasthus (SOT1216) med Trench MOSFET-teknologi.

Lille lækstrøm
Trench MOSFET-teknologi
Meget lille og slankt SMD-plasthus uden ledning: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Frilagt drænpude for fremragende termisk ledeevne
Beskyttelse mod elektrostatisk udladning (ESD) > 1 kV HBM
Drain-source on-state modstand RDSon = 1,02 Ω
Relædriver
Højhastigheds linjedriver
Høj-side belastningsomskifter
Koblingskredsløb