Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 12.8 A 60 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M8560E AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 153-0662
- Producentens varenummer:
- BUK9M85-60EX
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 100,60
(ekskl. moms)
Kr. 125,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.425 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | Kr. 4,024 | Kr. 100,60 |
| 125 - 225 | Kr. 2,537 | Kr. 63,43 |
| 250 - 600 | Kr. 2,402 | Kr. 60,05 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,298 | Kr. 57,45 |
| 1250 + | Kr. 1,939 | Kr. 48,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 153-0662
- Producentens varenummer:
- BUK9M85-60EX
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | LFPAK | |
| Serie | BUK9M8560E | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 192mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 31W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype LFPAK | ||
Serie BUK9M8560E | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 192mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 31W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
N-kanals 60 V, 85 mΩ MOSFET på logikniveau i LFPAK33, N-kanals MOSFET på logikniveau i et LFPAK33-hus (Power33) med TrenchMOS-teknologi. Dette produkt er udviklet og kvalificeret iht. AEC Q101-standard til brug i højtydende biler.
Q101-kompatibel
Normeret til gentagen strøm
Velegnet til termisk krævende miljøer på grund af 175 °C nominel effekt
Sand logikniveau-gate med VGS(th)-normering på mere end 0,5 V ved 175 °C
12 V systemer til brug i biler
Motorer, lamper og magnetventilstyring
Transmissionsstyring
Strøm-switching med ultrahøj ydeevne
Relaterede links
- Nexperia Type N-Kanal 12.8 A 60 V Forbedring LFPAK, BUK9M8560E AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 32 A 60 V Forbedring LFPAK AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 43 A 60 V Forbedring LFPAK, BUK7M1560E AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 17 A 60 V Forbedring LFPAK, BUK9M5360E AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 53 A 60 V Forbedring LFPAK, BUK7M1260E AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 30 A 40 V Forbedring LFPAK AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 33 A 80 V Forbedring LFPAK, BUK9M2880E AEC-Q101
- Nexperia Type N-Kanal 26 A 100 V Forbedring LFPAK, BUK9M43100E AEC-Q101