Nexperia N-Kanal, MOSFET, 26 A 80 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M3580E AEC-Q101

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
153-0640
Producentens varenummer:
BUK9M35-80EX
Brand:
Nexperia
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Nexperia

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

LFPAK

Serie

BUK9M3580E

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

88mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

62W

Portkildespænding maks.

15V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

3.4mm

Højde

900μm

Bredde

2.6mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

N-kanals 80 V, 35 mΩ MOSFET på logikniveau i LFPAK33, N-kanals MOSFET på logikniveau i et LFPAK33-hus (Power33) med TrenchMOS-teknologi. Dette produkt er udviklet og kvalificeret iht. AEC Q101-standard til brug i højtydende biler.

Q101-kompatibel

Normeret til gentagen strøm

Velegnet til termisk krævende miljøer på grund af 175 °C nominel effekt

Sand logikniveau-gate med VGS(th)-normering på mere end 0,5 V ved 175 °C

12 V, 24 V og 48 V systemer til brug i biler

Motorer, lamper og magnetventilstyring

Transmissionsstyring

Strøm-switching med ultrahøj ydeevne

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.