Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Nexperia
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	26A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Emballagetype	LFPAK
	Serie	BUK9M3580E
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	4
	Drain source modstand maks. Rds	88mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	62W
	Portkildespænding maks.	15 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	13.5nC
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	3.4mm
	Højde	0.9mm
	Bredde	2.6 mm
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Nexperia
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Emballagetype LFPAK
	Serie BUK9M3580E
	Monteringstype Overflade
	Benantal 4
	Drain source modstand maks. Rds 88mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 62W
	Portkildespænding maks. 15 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13.5nC
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser No
	Længde 3.4mm
	Højde 0.9mm
	Bredde 2.6 mm
	Bilindustristandarder AEC-Q101

N-kanals 80 V, 35 mΩ MOSFET på logikniveau i LFPAK33, N-kanals MOSFET på logikniveau i et LFPAK33-hus (Power33) med TrenchMOS-teknologi. Dette produkt er udviklet og kvalificeret iht. AEC Q101-standard til brug i højtydende biler.

Q101-kompatibel

Normeret til gentagen strøm

Velegnet til termisk krævende miljøer på grund af 175 °C nominel effekt

Sand logikniveau-gate med VGS(th)-normering på mere end 0,5 V ved 175 °C

12 V, 24 V og 48 V systemer til brug i biler

Motorer, lamper og magnetventilstyring

Transmissionsstyring

Strøm-switching med ultrahøj ydeevne

Nexperia Type N-Kanal, MOSFET, 26 A 80 V Forbedring, 4 Ben, LFPAK, BUK9M3580E AEC-Q101

Relaterede links